NTHD3100CT1G फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़
श्रेणी:
फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर
कीमत:
Negotiable
भुगतान विधि:
टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
विनिर्देश
भाग संख्या:
NTHD3100CT1G
उत्पादक:
सेमीकंडक्टर पर
विवरण:
MOSFET N/P-CH 20V चिपसेट
वर्ग:
ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays
परिवार:
ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays
परिचय
NTHD3100CT1G निर्दिष्टीकरण
| भाग की स्थिति | सक्रिय |
|---|---|
| एफईटी प्रकार | एन और पी-चैनल |
| एफईटी सुविधा | तर्क स्तर गेट |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) | 20 वी |
| करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C | 2.9ए, 3.2ए |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 80 एमओएचएम @ 2.9ए, 4.5वी |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 1.2V @ 250µA |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 2.3 एनसी @ 4.5 वी |
| इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 165pF @ 10V |
| पावर - मैक्स | 1.1 डब्ल्यू |
| परिचालन तापमान | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
| माउन्टिंग का प्रकार | माउंट सतह |
| पैकेज / मामला | 8-एसएमडी, फ्लैट लीड |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | चिपफेट™ |
| लदान | यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस। |
| हालत | नया मूल कारखाना। |
NTHD3100CT1G पैकेजिंग
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