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SIHG47N60E-GE3 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs सिंगल

श्रेणी:
फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर
कीमत:
विनिमय योग्य
भुगतान विधि:
टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
विनिर्देश
भाग संख्या:
SIHG47N60E-GE3
उत्पादक:
Vishay Siliconix
विवरण:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
वर्ग:
ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल
परिवार:
ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल
परिचय

SIHG47N60E-GE3 निर्दिष्टीकरण

भाग की स्थिति सक्रिय
एफईटी प्रकार n- चैनल
तकनीकी MOSFET (धातु ऑक्साइड)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) 600 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C 47ए (टीसी)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू) 10 वी
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी 4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 220 एनसी @ 10 वी
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds 9620pF @ 100V
वीजीएस (अधिकतम) ± 30 वी
एफईटी सुविधा -
बिजली अपव्यय (अधिकतम) 357W (टीसी)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस 64 एमओएचएम @ 24ए, 10वी
परिचालन तापमान -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
माउन्टिंग का प्रकार छेद के माध्यम से
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज TO-247AC
पैकेज / मामला TO-247-3
लदान यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस।
हालत नया मूल कारखाना।

SIHG47N60E-GE3 पैकेजिंग

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