CSD23202W10 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs सिंगल
श्रेणी:
फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर
कीमत:
Negotiable
भुगतान विधि:
टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
विनिर्देश
भाग संख्या:
CSD23202W10
उत्पादक:
टेक्सस उपकरण
विवरण:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
वर्ग:
ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल
परिवार:
ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल
शृंखला:
नेक्सफेट™
परिचय
CSD23202W10 निर्दिष्टीकरण
| भाग की स्थिति | सक्रिय |
|---|---|
| एफईटी प्रकार | पी-चैनल |
| तकनीकी | MOSFET (धातु ऑक्साइड) |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) | 12 वी |
| करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C | 2.2ए (टा) |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू) | 1.5 वी, 4.5 वी |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 900mV @ 250µA |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 3.8 एनसी @ 4.5 वी |
| इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 512pF @ 6V |
| वीजीएस (अधिकतम) | -6 वी |
| एफईटी सुविधा | - |
| बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 1W (टा) |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 53 एमओएचएम @ 500mA, 4.5V |
| परिचालन तापमान | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
| माउन्टिंग का प्रकार | माउंट सतह |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | 4-डीएसबीजीए (1x1) |
| पैकेज / मामला | 4-यूएफबीजीए, डीएसबीजीए |
| लदान | यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस। |
| हालत | नया मूल कारखाना। |
CSD23202W10 पैकेजिंग
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