IGBT CoolMOS पावर डिस्क्रीट सेमीकंडक्टर SPW35N60C3 ट्रांजिस्टर Mosfet IGBT N-Ch 650V 34.6A
श्रेणी:
आईजीबीटी पावर मॉड्यूल
कीमत:
विनिमय योग्य
भुगतान विधि:
टी/टी, डी/पी, डी/ए, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
विनिर्देश
उत्पाद मॉडल:
एनजीटीबी40N120SWG
प्रदायक पैकेज:
TO247-3
संक्षिप्त विवरण:
आईजीबीटी कूलएमओएस
उत्पाद श्रेणी:
आईजीबीटी पावर मॉड्यूल
उपयेाग क्षेत्र:
ढेर चार्ज करना
उत्पादन की तारीख:
एक वर्ष के भीतर
प्रमुखता देना:
पावर डिस्क्रीट सेमीकंडक्टर
,SPW35N60C3
,ट्रांजिस्टर मोस्फेट आईजीबीटी
परिचय
उत्पाद रेंज
- IGBT CoolMOS डिस्क्रीट सेमीकंडक्टर SPW35N60C3 MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3
ऐप के लक्षण
- नई क्रांतिकारी उच्च वोल्टेज प्रौद्योगिकी
- अल्ट्रा लो गेट चार्ज
- आवधिक हिमस्खलन रेटेड
- एक्सट्रीम डीवी /डीटी रेटेड
- अल्ट्रा कम प्रभावी क्षमता
- बेहतर पारगमन
मूल डेटा
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए |
|---|---|
| Infineon | |
| उत्पाद श्रेणी: | MOSFET |
| आरओएचएस: | विवरण |
| सी | |
| छेद के माध्यम से | |
| TO-247-3 | |
| n- चैनल | |
| 1 चैनल | |
| 600 वी | |
| 34.6 ए | |
| 100 ओम | |
| - 20 वी, + 20 वी | |
| 2.1 वी | |
| 150 एनसी | |
| - 55 सी | |
| + 150 सी | |
| 313 डब्ल्यू | |
| वृद्धि | |
| कूलएमओएस | |
| नली | |
| ब्रैंड: | इंफिनियोन टेक्नोलॉजीज |
| विन्यास: | अकेला |
| पतझड़ का समय: | 10 एनएस |
| फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्शन - न्यूनतम: | 36 एस |
| ऊंचाई: | 21.1 मिमी |
| लंबाई: | 16.13 मिमी |
| उत्पाद का प्रकार: | MOSFET |
| वृद्धि समय: | 5 एनएस |
| शृंखला: | कूलएमओएस सी3 |
| 240 | |
| उपश्रेणी: | MOSFETs |
| ट्रांजिस्टर प्रकार: | 1 एन-चैनल |
| विशिष्ट टर्न-ऑफ विलंब समय: | 70 एनएस |
| विशिष्ट टर्न-ऑन विलंब समय: | 10 एनएस |
| चौड़ाई: | 5.21 मिमी |
| भाग # उपनाम: | SPW35N6C3XK SP000014970 SPW35N60C3FKSA1 |
| इकाई का वज़न: | 0.211644 ऑउंस |
डेटाशीट डाउनलोड करें
- IGBT CoolMOS डिस्क्रीट सेमीकंडक्टर SPW35N60C3 MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3
आवेदन
- मंच, संगीत कार्यक्रम, नेटवर्क संचार, स्मार्टफोन, टैबलेट, लैपटॉप, नोटबुक, पावर एडाप्टर, कैमरा डोंगल में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है
आदेश प्रक्रिया
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