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IRF7103Q फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

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IRF7103Q फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

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बड़ी छवि :  IRF7103Q फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: मूल
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: बातचीत योग्य
मूल्य: Negotiable
प्रसव के समय: बातचीत योग्य
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: 100000

IRF7103Q फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

वर्णन
भाग संख्या: आईआरएफ7103क्यू उत्पादक: इंफिनियोन टेक्नोलॉजीज
विवरण: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC वर्ग: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays
परिवार: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays शृंखला: हेक्सफेट®

IRF7103Q निर्दिष्टीकरण

भाग की स्थिति अप्रचलित
एफईटी प्रकार 2 एन-चैनल (दोहरी)
एफईटी सुविधा मानक
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) 50 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C 3 ए
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस 130 एमओएचएम @ 3ए, 10वी
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी 3V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 15 एनसी @ 10 वी
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds 255pF @ 25V
पावर - मैक्स 2.4 डब्ल्यू
परिचालन तापमान -55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
माउन्टिंग का प्रकार माउंट सतह
पैकेज / मामला 8-एसओआईसी (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज 8-तो
लदान यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस।
हालत नया मूल कारखाना।

IRF7103Q पैकेजिंग

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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