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IRF5810 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

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IRF5810 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

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बड़ी छवि :  IRF5810 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: मूल
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: बातचीत योग्य
मूल्य: Negotiable
प्रसव के समय: बातचीत योग्य
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: 100000

IRF5810 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

वर्णन
भाग संख्या: आईआरएफ5810 उत्पादक: इंफिनियोन टेक्नोलॉजीज
विवरण: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP वर्ग: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays
परिवार: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays शृंखला: हेक्सफेट®

IRF5810 निर्दिष्टीकरण

भाग की स्थिति अप्रचलित
एफईटी प्रकार 2 पी-चैनल (दोहरी)
एफईटी सुविधा तर्क स्तर गेट
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) 20 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C 2.9ए
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस 90 एमओएचएम @ 2.9ए, 4.5वी
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी 1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 9.6 एनसी @ 4.5 वी
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds 650pF @ 16V
पावर - मैक्स 960mW
परिचालन तापमान -
माउन्टिंग का प्रकार माउंट सतह
पैकेज / मामला SOT-23-6 पतला, TSOT-23-6
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज 6-टीएसओपी
लदान यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस।
हालत नया मूल कारखाना।

IRF5810 पैकेजिंग

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