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NTZD3155CT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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NTZD3155CT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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बड़ी छवि :  NTZD3155CT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: मूल
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: बातचीत योग्य
मूल्य: Negotiable
प्रसव के समय: बातचीत योग्य
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: 100000

NTZD3155CT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

वर्णन
भाग संख्या: NTZD3155CT1G उत्पादक: सेमीकंडक्टर पर
विवरण: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 वर्ग: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays
परिवार: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays

NTZD3155CT1G Specifications

Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 540mA, 430mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V
Power - Max 250mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package SOT-563
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

NTZD3155CT1G Packaging

Detection

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सम्पर्क करने का विवरण
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

व्यक्ति से संपर्क करें: Darek

दूरभाष: +8615017926135

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