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NTZD3154NT1G फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

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NTZD3154NT1G फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

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बड़ी छवि :  NTZD3154NT1G फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: मूल
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: बातचीत योग्य
मूल्य: Negotiable
प्रसव के समय: बातचीत योग्य
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: 100000

NTZD3154NT1G फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

वर्णन
भाग संख्या: NTZD3154NT1G उत्पादक: सेमीकंडक्टर पर
विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563 वर्ग: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays
परिवार: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays

NTZD3154NT1G निर्दिष्टीकरण

भाग की स्थिति सक्रिय
एफईटी प्रकार 2 एन-चैनल (दोहरी)
एफईटी सुविधा मानक
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) 20 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C 540mA
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस 550 mOhm @ 540mA, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी 1V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 2.5 एनसी @ 4.5 वी
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds 150pF @ 16V
पावर - मैक्स 250mW
परिचालन तापमान -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
माउन्टिंग का प्रकार माउंट सतह
पैकेज / मामला एसओटी-563, एसओटी-666
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज एसओटी-563
लदान यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस।
हालत नया मूल कारखाना।

NTZD3154NT1G पैकेजिंग

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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