मेसेज भेजें
होम उत्पादफील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर

FDS6975 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

मैं अब ऑनलाइन चैट कर रहा हूँ

FDS6975 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

FDS6975 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़
FDS6975 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

बड़ी छवि :  FDS6975 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: मूल
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: बातचीत योग्य
मूल्य: Negotiable
प्रसव के समय: बातचीत योग्य
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: 100000

FDS6975 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़

वर्णन
भाग संख्या: एफडीएस 6975 उत्पादक: फेयरचाइल्ड / सेमीकंडक्टर पर
विवरण: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC वर्ग: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays
परिवार: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays शृंखला: पॉवरट्रेंच®

FDS6975 विनिर्देशों

भाग की स्थिति सक्रिय
एफईटी प्रकार 2 पी-चैनल (दोहरी)
एफईटी सुविधा तर्क स्तर गेट
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) 30 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C 6ए
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस 32 एमओएचएम @ 6 ए, 10 वी
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी 3V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 20 एनसी @ 5 वी
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds 1540pF @ 15V
पावर - मैक्स 900mW
परिचालन तापमान -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
माउन्टिंग का प्रकार माउंट सतह
पैकेज / मामला 8-एसओआईसी (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज 8-तो
लदान यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस।
हालत नया मूल कारखाना।

FDS6975 पैकेजिंग

खोज

FDS6975 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़ 0FDS6975 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़ 1FDS6975 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़ 2FDS6975 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs एरेज़ 3

सम्पर्क करने का विवरण
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

व्यक्ति से संपर्क करें: Darek

दूरभाष: +8615017926135

हम करने के लिए सीधे अपनी जांच भेजें (0 / 3000)

अन्य उत्पादों