उत्पाद विवरण:
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भाग संख्या: | IPB80N03S4L-03 | उत्पादक: | इंफिनियोन टेक्नोलॉजीज |
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विवरण: | MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 | वर्ग: | ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल |
परिवार: | ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल | शृंखला: | ऑप्टिमोस™ |
भाग की स्थिति | सक्रिय |
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एफईटी प्रकार | n- चैनल |
तकनीकी | MOSFET (धातु ऑक्साइड) |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) | 30 वी |
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C | 80ए (टीसी) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू) | 4.5 वी, 10 वी |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 2.2V @ 45µA |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 75एनसी @ 10 वी |
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 5100pF @ 25V |
वीजीएस (अधिकतम) | ± 16 वी |
एफईटी सुविधा | - |
बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 94W (टीसी) |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 3.3 एमओएचएम @ 80ए, 10वी |
परिचालन तापमान | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
माउन्टिंग का प्रकार | माउंट सतह |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | पीजी-TO263-3-2 |
पैकेज / मामला | TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB |
लदान | यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस। |
हालत | नया मूल कारखाना। |
व्यक्ति से संपर्क करें: Darek
दूरभाष: +8615017926135