उत्पाद विवरण:
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भाग संख्या: | SIR642DP-T1-GE3 | उत्पादक: | Vishay Siliconix |
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विवरण: | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | वर्ग: | ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल |
परिवार: | ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल | शृंखला: | ट्रेंचफेट® |
भाग की स्थिति | सक्रिय |
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एफईटी प्रकार | n- चैनल |
तकनीकी | MOSFET (धातु ऑक्साइड) |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) | 40 वी |
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C | 60ए (टीसी) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू) | 4.5 वी, 10 वी |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 2.3V @ 250µA |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 84एनसी @ 10 वी |
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 4155pF @ 20V |
वीजीएस (अधिकतम) | ± 20 वी |
एफईटी सुविधा | - |
बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 4.8W (टा), 41.7W (टीसी) |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 2.4 एमओएचएम @ 15ए, 10वी |
परिचालन तापमान | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
माउन्टिंग का प्रकार | माउंट सतह |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | पॉवरपैक® SO-8 |
पैकेज / मामला | पॉवरपैक® SO-8 |
लदान | यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस। |
हालत | नया मूल कारखाना। |
व्यक्ति से संपर्क करें: Darek
दूरभाष: +8615017926135