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STFI7N80K5 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs सिंगल

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STFI7N80K5 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs सिंगल

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बड़ी छवि :  STFI7N80K5 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs सिंगल

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: मूल
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: बातचीत योग्य
मूल्य: Negotiable
प्रसव के समय: बातचीत योग्य
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: 100000

STFI7N80K5 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs सिंगल

वर्णन
भाग संख्या: STFI7N80K5 उत्पादक: STMicroelectronics
विवरण: MOSFET N-CH 800V 6A I2PAK-FP वर्ग: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल
परिवार: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल शृंखला: सुपरमेश5™

STFI7N80K5 निर्दिष्टीकरण

भाग की स्थिति सक्रिय
एफईटी प्रकार n- चैनल
तकनीकी MOSFET (धातु ऑक्साइड)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) 800 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C 6ए (टीसी)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू) 10 वी
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी 5V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 13.4 एनसी @ 10 वी
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds 360pF @ 100V
वीजीएस (अधिकतम) ± 30 वी
एफईटी सुविधा -
बिजली अपव्यय (अधिकतम) 25W (टीसी)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस 1.2 ओम @ 3ए, 10वी
परिचालन तापमान -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
माउन्टिंग का प्रकार छेद के माध्यम से
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज I2PAKFP (से-281)
पैकेज / मामला TO-262-3 पूर्ण पैक, I²Pak
लदान यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस।
हालत नया मूल कारखाना।

STFI7N80K5 पैकेजिंग

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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