मेसेज भेजें
होम उत्पादफील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर

MRF6V13250HR3 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

मैं अब ऑनलाइन चैट कर रहा हूँ

MRF6V13250HR3 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

MRF6V13250HR3 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप
MRF6V13250HR3 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

बड़ी छवि :  MRF6V13250HR3 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: मूल
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: बातचीत योग्य
मूल्य: Negotiable
प्रसव के समय: बातचीत योग्य
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: 100000

MRF6V13250HR3 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

वर्णन
भाग संख्या: एमआरएफ6वी13250एचआर3 उत्पादक: एनएक्सपी यूएसए इंक।
विवरण: FET RF 120V 1.3GHZ NI-780 वर्ग: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - RF
परिवार: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - RF

MRF6V13250HR3 निर्दिष्टीकरण

भाग की स्थिति डिजी-की पर बंद कर दिया गया
ट्रांजिस्टर प्रकार एलडीएमओएस
आवृत्ति 1.3GHz
पाना 22.7 डीबी
वोल्टेज - टेस्ट 50 वी
वर्तमान रेटिंग -
शोर का आंकड़ा -
वर्तमान - परीक्षण 100mA
पावर आउटपुट 250 डब्ल्यू
वोल्टेज - रेटेड 120 वी
पैकेज / मामला एनआई-780
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज एनआई-780
लदान यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस।
हालत नया मूल कारखाना।

MRF6V13250HR3 पैकेजिंग

खोज

MRF6V13250HR3 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप 0MRF6V13250HR3 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप 1MRF6V13250HR3 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप 2MRF6V13250HR3 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप 3

सम्पर्क करने का विवरण
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

व्यक्ति से संपर्क करें: Darek

दूरभाष: +8615017926135

हम करने के लिए सीधे अपनी जांच भेजें (0 / 3000)

अन्य उत्पादों