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BLD6G21L-50,112 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

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BLD6G21L-50,112 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

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बड़ी छवि :  BLD6G21L-50,112 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: मूल
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: बातचीत योग्य
मूल्य: Negotiable
प्रसव के समय: बातचीत योग्य
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: 100000

BLD6G21L-50,112 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

वर्णन
भाग संख्या: BLD6G21L-50,112 उत्पादक: एम्पलॉन यूएसए इंक।
विवरण: आरएफ एफईटी एलडीएमओएस 65V 14.5DB SOT1130A वर्ग: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - RF
परिवार: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - RF

BLD6G21L-50,112 निर्दिष्टीकरण

भाग की स्थिति अप्रचलित
ट्रांजिस्टर प्रकार एलडीएमओएस (दोहरी), सामान्य स्रोत
आवृत्ति 2.02GHz
पाना 14.5 डीबी
वोल्टेज - टेस्ट 28 वी
वर्तमान रेटिंग 10.2ए
शोर का आंकड़ा -
वर्तमान - परीक्षण 170mA
पावर आउटपुट 8 डब्ल्यू
वोल्टेज - रेटेड 65 वी
पैकेज / मामला एसओटी-1130ए
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज सीडीएफएम4
लदान यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस।
हालत नया मूल कारखाना।

BLD6G21L-50,112 पैकेजिंग

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सम्पर्क करने का विवरण
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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