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MRF6S20010GNR1 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

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MRF6S20010GNR1 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

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बड़ी छवि :  MRF6S20010GNR1 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: मूल
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: बातचीत योग्य
मूल्य: Negotiable
प्रसव के समय: बातचीत योग्य
भुगतान शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
आपूर्ति की क्षमता: 100000

MRF6S20010GNR1 फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर ट्रांजिस्टर FETs MOSFETs RF चिप

वर्णन
भाग संख्या: एमआरएफ6एस20010जीएनआर1 उत्पादक: एनएक्सपी यूएसए इंक।
विवरण: FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW वर्ग: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - RF
परिवार: ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - RF

MRF6S20010GNR1 निर्दिष्टीकरण

भाग की स्थिति सक्रिय
ट्रांजिस्टर प्रकार एलडीएमओएस
आवृत्ति 2.17GHz
पाना 15.5 डीबी
वोल्टेज - टेस्ट 28 वी
वर्तमान रेटिंग -
शोर का आंकड़ा -
वर्तमान - परीक्षण 130mA
पावर आउटपुट 10 डब्ल्यू
वोल्टेज - रेटेड 68 वी
पैकेज / मामला TO-270-2 गल विंग
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज TO-270-2 गल
लदान यूपीएस/ईएमएस/डीएचएल/FedEx एक्सप्रेस।
हालत नया मूल कारखाना।

MRF6S20010GNR1 पैकेजिंग

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सम्पर्क करने का विवरण
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

व्यक्ति से संपर्क करें: Darek

दूरभाष: +8615017926135

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